Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияКутаисский государственный университет им. Акакия Церетели, 384000 Кутаиси, Грузия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние мелких примесей на температурную зависимость микротвердости ифотомеханического эффекта вполупроводниках

Герасимов А.Б., Чирадзе Г.Д.

Герасимов А.Б., Чирадзе Г.Д. Влияние мелких примесей на температурную зависимость микротвердости ифотомеханического эффекта вполупроводниках // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1191

Аннотация Приведены результаты исследований влияния мелкой донорной примеси на температурную зависимость микротвердости ифотомеханического эффекта вмонокристаллическом кремнии. Показано, что сувеличением концентрации примеси изменяется температурная зависимость темновой микротвердости, уменьшается величина фотомеханического эффекта итемпературный интервал его существования. Полученные данные объясняются на основе механизма уменьшения микротвердости сростом температуры за счет увеличения концентрации фононов иантисвязывающих квазичастиц, при этом за наблюдаемые изменения фотомеханического эффекта ответственным является перераспределение концентрации антисвязывающих квазичастиц, созданных межзонными переходами ипереходами спримесных уровней, которые обладают разной величиной расслабляющего действия.