Профиль » Публикация

Аннотация Исследована зависимость интенсивности краевой фотолюминесценции GaN (0001), выращенного методом газофазной гидридно-хлоридной эпитаксии (HVPE), от интенсивности возбуждения. Особенностью является сильная сверхлинейность при малых уровнях возбуждения, аименно сверхквадратичность. При больших уровнях возбуждения зависимость близка клинейной. Предложена модель, объясняющая обнаруженную сверхквадратичность иоснованная на идентичности рекомбинационных процессов вприповерхностном слое объемного заряда при оптическом возбуждении ивслое объемного заряда барьера Шоттки или p-n-перехода при прохождении тока. Сверхквадратичная зависимость получена аналитически впредположении, что безызлучательный канал обусловлен многопрыжковым туннелированием вдоль дислокации, представляющей цепочку центров локализации носителей ипересекающей область объемного заряда. Наблюдалась степенная экспериментальная зависимость интенсивности люминесценции от интенсивности возбуждения. Оценен такой параметр дислокации, как расстояние между соседними центрами локализации (~ 4.1 нм), т. е. период потенциала вдоль дислокации.