Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияСибирский физико-технический институт им.В.Д.Кузнецова при Томском государственном университете, 634050 Томск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние состояния поверхности кремния на чувствительность кводороду барьерных структур Pd/n-Si

Калыгина В.М., Хлудкова Л.С., Балюба В.И., Давыдова Т.А.

Калыгина В.М., Хлудкова Л.С., Балюба В.И., Давыдова Т.А. Влияние состояния поверхности кремния на чувствительность кводороду барьерных структур Pd/n-Si // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1215

Аннотация Исследовано влияние термического отжига кремния перед нанесением палладиевого контакта на чувствительность кводороду барьерных структур палладий--<естественный окисел>--кремний. Показано, что структуры на основе отожженного кремния имеют существенно большую чувствительность кводороду именьшее время отклика, чем структуры на основе кремния, не подвергавшегося отжигу. Полученные результаты обсуждаются сточки зрения структурных изменений, происходящих при термообработке на границе раздела кремния--<естественный окисел>.