Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Кристаллизация пленок аморфного гидрированного кремния, осажденных при различных условиях

Голикова О.А., Богданова Е.В., Бабаходжаев У.С.

Голикова О.А., Богданова Е.В., Бабаходжаев У.С. Кристаллизация пленок аморфного гидрированного кремния, осажденных при различных условиях // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1259

Аннотация Анализируются возможности применения технологии MASD (magnetron assisted silane decomposition) для осаждения пленок a-Si : H как базовых материалов для получения поликремния. Показано, как особенности структуры пленок влияют на эффект кристаллизации.