Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Скрытые наноразмерные дефектные слои, сформированные вкристаллахSi иSiC высокодозной имплантацией протонов

Козлов В.А., Козловский В.В., Титков А.Н., Дунаевский М.С., Крыжановский А.К.

Козлов В.А., Козловский В.В., Титков А.Н., Дунаевский М.С., Крыжановский А.К. Скрытые наноразмерные дефектные слои, сформированные вкристаллахSi иSiC высокодозной имплантацией протонов // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1310

Аннотация Проведено исследование скрытых наноразмерных дефектных слоев, сформированных вкристаллахSi иSiC имплантацией водорода сэнергией50 и100 кэВ. Показана высокая чувствительность использованного метода атомно-силовой микроскопии для обнаружения начальных стадий развития водородсодержащих пор имикротрещин вподповерхностных слоях облученных кристаллов, атакже для исследования процессов расслаивания кристаллов вдоль плоскости микротрещин. Врезультате были получены количественные критерии условий создания скрытых дефектных слоев висследованных кристаллах, необходимые для реализации процессов блистеринга и\glqq Smart-Cut\grqq.