Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Образование преципитатов beta -FeSi2 вмикрокристаллическомSi

Теруков Е.И., Коньков О.И., Кудоярова В.Х., Гусев О.Б., Давыдов В.Ю., Мосина Г.Н.

Теруков Е.И., Коньков О.И., Кудоярова В.Х., Гусев О.Б., Давыдов В.Ю., Мосина Г.Н. Образование преципитатов beta -FeSi2 вмикрокристаллическомSi // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1318

Аннотация Впервые наблюдалось образование преципитатов beta-FeSi2 в пленках микрокристаллического кремния. Пленки аморфного кремния, легированные железом (a-Si<Fe>), были получены методом магнетронного распыления. Последующий кратковременный термический отжиг приводил к переходу аморфного кремния в микрокристаллический и образованию преципитатов beta-FeSi2. Показано, что синтезированные образцы излучали на длине волны lambda~1.54 мкм при100 K.