Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Природа примесных центров редкоземельных металлов ипроцессы самоорганизации вa-Si(H)
Мездрогина М.М., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И., Насрединов Ф.С., Серегин Н.П., Серегин П.П.
Мездрогина М.М., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И., Насрединов Ф.С., Серегин Н.П., Серегин П.П. Природа примесных центров редкоземельных металлов ипроцессы самоорганизации вa-Si(H) // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1337
Аннотация Продемонстрировано существование процессов самоорганизации в пленках a-Si(H) : Er: появление упорядоченной структуры кристаллитов [Er--O] в неупорядоченной структурной сетке a-Si(H) : Er. Показано, что основным параметром процесса самоорганизации является управляющий параметр, каковым в пленках a-Si(H) : Er является концентрация комплексов [Er--O]. Уменьшение размеров кристаллитов, увеличение плотности частиц приводит к увеличению интенсивности фотолюминесценции при lambda=1.54 мкм, т. е. кувеличению оптической активации ионов Er в пленках a-Si(H) : Er.
Ключевые слова публикации:
     

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален