Профиль » Публикация
Опубликовано
2002-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Природа примесных центров редкоземельных металлов ипроцессы самоорганизации вa-Si(H)
Мездрогина М.М., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И., Насрединов Ф.С., Серегин Н.П., Серегин П.П. Природа примесных центров редкоземельных металлов ипроцессы самоорганизации вa-Si(H) // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1337
Аннотация
Продемонстрировано существование процессов самоорганизации в пленках a-Si(H) : Er: появление упорядоченной структуры кристаллитов [Er--O] в неупорядоченной структурной сетке a-Si(H) : Er. Показано, что основным параметром процесса самоорганизации является управляющий параметр, каковым в пленках a-Si(H) : Er является концентрация комплексов [Er--O]. Уменьшение размеров кристаллитов, увеличение плотности частиц приводит к увеличению интенсивности фотолюминесценции при lambda=1.54 мкм, т. е. кувеличению оптической активации ионов Er в пленках a-Si(H) : Er.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален