Профиль » Публикация

Аннотация Рассмотрены результаты исследований воздействия ионизирующего излучения на эпитаксиальные слои и приборы на основе карбида кремния (SiC). Показано, что при исследовании широкозонных полупроводников следует учитывать температурную зависимость параметра, стандартного для определения радиационной стойкости материала,--- скорости удаления подвижных носителей заряда. Использование данных, полученных только при комнатных температурах, может привести кнеправильной оценке радиационной стойкости широкозонных полупроводников. Сделан вывод, что свойства широкозонных полупроводников сочетают всебе, содной стороны--- большую радиационную стойкость высокотемпературных приборов на их основе, сдругой--- возможность эффективного радиационного легирования (например получения полуизолирующих при комнатной температуре локальных областей материала).