Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияВосточно-Сибирский государственный технологический университет, 670013 Улан-Удэ, Россия * Бурятский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук, 670048 Улан-Удэ, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние адсорбата наработу выхода ипрозрачность поверхностного потенциального барьера монокристаллаGaAs (110)

Асалханов Ю.И., Абарыков В.Н.

Асалханов Ю.И., Абарыков В.Н. Влияние адсорбата наработу выхода ипрозрачность поверхностного потенциального барьера монокристаллаGaAs (110) // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1367

Аннотация Установлены характерные особенности изменений вольт-амперных характеристик тока медленных моноэнергетических электронов, проходящих из вакуума в монокристаллическийGaAs (110), при удалении слоя естественного окисла с поверхности. Показано, что работа выхода уменьшается, а коэффициент прозрачности поверхностного потенциального барьера увеличивается с температурой отжига кристалла в условиях высокого вакуума. Процесс удаления окисла параллельно контролировался эллипсометрически. Толщина удаляемого слоя, согласно расчетам по уравнениям Друдэ, не превышает20 Angstrem.