Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Technical University of Berlin, D-10623 Berlin, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Высокоэффективные (eta D>80&#37;) длинноволновые (lambda >1.25 мкм) лазеры наоснове квантовыхточекнаподложкахGaAs

Михрин С.С., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Малеев Н.А., Васильев А.П., Семенова Е.С., Устинов В.М., Кулагина М.М., Никитина Е.В., Сошников И.П., Шерняков Ю.М., Лившиц Д.А., Крыжановская Н.В., Сизов Д.С., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Bimberg D., Алферов Ж.И. Высокоэффективные (eta D>80%) длинноволновые (lambda >1.25 мкм) лазеры наоснове квантовыхточекнаподложкахGaAs // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1400

Аннотация Исследованы инжекционные лазеры с активной областью на основе нескольких рядов самоорганизующихся квантовых точек на подложках GaAs, излучающие, в зависимости от количества рядов квантовых точек и уровня оптических потерь, в диапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм. Продемонстрирована рекордная внешняя дифференциальная эффективность 88% и характеристическая температура порогового тока145 K. Внутренние потери, а также пороговые и спектральные характеристики соотнесены с оптическим усилением и эффективностью излучательной рекомбинации, зависящими от дизайна активной области и режимов ее выращивания.