Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2002-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Глубокий уровень, образующийся вслоях GaN при облучении протонами

Соболев М.М., Соболев Н.А., Усиков А.С., Шмидт Н.М., Якименко А.Н., Гусинский Г.М., Найденов В.О.

Соболев М.М., Соболев Н.А., Усиков А.С., Шмидт Н.М., Якименко А.Н., Гусинский Г.М., Найденов В.О. Глубокий уровень, образующийся вслоях GaN при облучении протонами // ФТП, 2002, том 36, выпуск 12, Стр. 1437

Аннотация Методом емкостной спектроскопии исследованы параметры глубоких уровней вэпитаксиальных слоях n-GaN после облучения барьеров Шоттки протонами сэнергией1 МэВ идозой1012 см-2. Наблюдалось введение глубокого уровняEP1 вверхней половине запрещенной зоны сэнергией активации 0.085 эВ. Образование этого дефекта зависит от напряжения смещения, приложенного кбарьеру Шоттки во время облучения.