Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияУльяновский государственный университет, 432700 Ульяновск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Определение констант деформационного потенциала n-Si, p-Si поконцентрационному ангармонизму

Скворцов А.А., Литвиненко О.В., Орлов А.М.

Скворцов А.А., Литвиненко О.В., Орлов А.М. Определение констант деформационного потенциала n-Si, p-Si поконцентрационному ангармонизму // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 17

Аннотация Проведен анализ вклада носителей заряда вмодуль упругости 4-го порядка beta для кремния n- иp-типов при одноосном растяжении внаправлении[110] вприближении малых деформаций. Концентрационное изменениеbeta измерялось методом спонтанного возбуждения волн Лэмба визогнутых пластинах разного уровня легирования. По экспериментальным зависимостям определена константа деформационного потенциала зоны проводимости Xiu=7±1 эВ иусредненное значение деформационного потенциала валентной зоны \root4\of<Phi4>=5.6±0.8 эВ при комнатной температуре.