Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Университет Линчепинга, 58183 Линчепинг, Швеция ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Карбид-кремниевые транзисторные структуры как детекторы слабоионизирующего излучения

Строкан Н.Б., Иванов А.М., Бойко М.Е., Савкина Н.С., Стрельчук А.М., Лебедев А.А., Якимовa Р.

Строкан Н.Б., Иванов А.М., Бойко М.Е., Савкина Н.С., Стрельчук А.М., Лебедев А.А., Якимовa Р. Карбид-кремниевые транзисторные структуры как детекторы слабоионизирующего излучения // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 65

Аннотация Детекторы ядерных излучений на базе SiC занимали видное место уже впервых попытках 60-х годов по замене газа вионизационных камерах более конденсированной полупроводниковой средой. Однако динамика совершенствования SiC тех лет заметно уступала прогрессу \glqq конкурентных\grqq материалов. Вработе продолжено исследование триодных структур детекторов на базе \glqq чистых\grqq пленок SiC. Установлено, что для слабоионизирующего излучения (как и вслучае сильноионизирующих alpha-частиц) происходит усиление сигнала не менее чем вдесятки раз. Последнее позволяет использовать пленки SiC протяженностью порядка десяти мкм для регистрации проникающей радиации, например, рентгеновского излучения, поскольку эффективная толщина пленок оказывается вдиапазоне сотен микрометров.