Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияУльяновский государственный университет, 432700 Ульяновск, Россия * Мордовский государственный университет, 430000 Саранск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Туннельная рекомбинация вкремниевых лавинных диодах

Булярский С.В., Ионычев В.К., Кузьмин В.В.

Булярский С.В., Ионычев В.К., Кузьмин В.В. Туннельная рекомбинация вкремниевых лавинных диодах // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 117

Аннотация Методом математического моделирования исследовано распределение потока туннельной рекомбинации по области пространственного заряда p-n-перехода. Показано, что при малых значениях вероятности туннелирования скорость рекомбинации достигает насыщения. Приведено выражение для вольт-амперной характеристики p-n-перехода в случае туннельной рекомбинации. Проведены экспериментальные исследования вольт-амперных характеристик кремниевых лавинных диодов, содержащих дислокации. Результаты численных расчетов на основе модели туннельной рекомбинации согласуются с экспериментальными данными.