Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им. М.В.Ломоносова, 119899 Москва, Россия * Гиредмет, 109017 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотоиндуцированный отжиг метастабильных дефектов влегированных бором пленках a-Si : H

Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л.

Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л. Фотоиндуцированный отжиг метастабильных дефектов влегированных бором пленках a-Si : H // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 142

Аннотация Исследовано влияние подсветки на изотермическую релаксацию медленных фотоиндуцированных метастабильных дефектов (метастабильных электрически активных атомов примеси) впленках a-Si : H, легированных бором. Было установлено, что при наличии подсветки кинетику релаксации этих метастабильных дефектов определяют не только процессы термического отжига и фотоиндуцированного образования, но и процесс фотоиндуцированного отжига.