Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут проблем материаловедения им.Францевича, Черновицкое отделение Национальной академии наук Украины, 58001 Черновцы, Украина * Antena Development, Waveband Corporation, Torrance, Ca. 90501, USA ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электрические свойства изотипной гетероструктуры p+-Bi2Te3--p-GaSe

Драпак С.И., Манассон В.А., Нетяга В.В., Ковалюк З.Д.

Драпак С.И., Манассон В.А., Нетяга В.В., Ковалюк З.Д. Электрические свойства изотипной гетероструктуры p+-Bi2Te3--p-GaSe // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 180

Аннотация Приводятся результаты исследования электрических свойств впервые изготовленной изотипной гетероструктуры p+-Bi2Te3--p-GaSe. Предложена качественная модель, объясняющая возникновение отрицательной дифференциальной проводимости при прямом напряжении смещения, апри освещении структуры также--- ипри обратном смещении.