Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Токоперенос вдиодных структурах Fe--p-InP

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Саморуков Б.Е.

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Саморуков Б.Е. Токоперенос вдиодных структурах Fe--p-InP // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 192

Аннотация Исследован механизм токопрохождения вдиодных структурах Fe--p-InP и его зависимость от освещения и магнитного поля. Показано, что двойная инжекция вдрейфовом приближении ввысокоомный pi-слой является основным механизмом токопереноса. Обнаружены и обсуждены явления гашения прямого тока светом (отрицательный фотоответ) и резкого роста дифференциального сопротивления в магнитном поле.