Профиль » Публикация

Аннотация На основе комплексного исследования электрических и фотоэлектрических свойств, а также шумовых характеристик гетероструктур <собственный окисел>--p-InSe прослежена динамика формирования барьера в зависимости от температурных и временных режимов окисления. Установлено, что в структурах, окисленных на протяжении =<sssim30 мин при T=400oC, происходит формирование барьера. При увеличении времени окисления до60 мин барьер в основном сформирован, причем пленка окисла двухслойная с различным химическим составом на поверхности и на границе раздела. Наибольшие значения отношения сигнал/шум получены при полуторачасовом окислении базового материала (T=400oC) в основном из-за малых значений темнового тока, которые реализуются в таких структурах благодаря развитию достаточно однородной высокоомной прослойки. При окислении p-InSe более 100 мин состав окисла становится однородным, однако при этом изменяется тип проводимости базового полупроводника, что приводит к уменьшению высоты барьера, увеличению темнового тока и, как следствие, ухудшению фотоэлектрических параметров.