Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияЧерновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Электрические свойства поверхностно-барьерных диодов на основе CdZnTe
Косяченко Л.А., Раренко И.М., Захарчук З.И., Склярчук В.М., Склярчук Е.Ф., Солончук И.В., Кабанова И.С., Маслянчук Е.Л.
Косяченко Л.А., Раренко И.М., Захарчук З.И., Склярчук В.М., Склярчук Е.Ф., Солончук И.В., Кабанова И.С., Маслянчук Е.Л. Электрические свойства поверхностно-барьерных диодов на основе CdZnTe // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 238
Аннотация Исследованы диодные структуры, полученные вакуумным напылением Al на поверхность монокристалла p-Cd1-xZnxTe (x=0.05). Врамках модели генерации--рекомбинации носителей Саа--Нойса--Шокли достигнуто количественное описание электрических характеристик диодов.
Ключевые слова публикации:
     
 http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftp/2003/02/p238-242.pdf
Показать статистику
Похожие публикации

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален