Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Овнутреннем квантовом выходе стимулированного излучения InGaAsP/InP-гетеролазеров (lambda =1.55 мкм)

Скрынников Г.В., Зегря Г.Г., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Шамахов В.В., Тарасов И.С.

Скрынников Г.В., Зегря Г.Г., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Шамахов В.В., Тарасов И.С. Овнутреннем квантовом выходе стимулированного излучения InGaAsP/InP-гетеролазеров (lambda =1.55 мкм) // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 243

Аннотация Проведено экспериментальное и теоретическое исследование внутреннего квантового выхода стимулированного излучения лазерных диодов на основе двойных InGaAsP/InP-гетероструктур раздельного ограничения (lambda=1.5-1.6 мкм). Лазерные гетероструктуры сразличным дизайном волноводного слоя изготавливались методом МОС-гидридной эпитаксии. Максимальное значение внутреннего квантового выхода стимулированного излучения etaist~ 97% было достигнуто вструктуре сдвойным ступенчатым волноводом, характеризующейся минимальными утечками в p-эмиттер за порогом генерации. Высокое значение etaist обусловлено низкими пороговой концентрацией и концентрацией неравновесных носителей на границе волновод p-эмиттер. Расчет значений etaist для исследуемых лазеров дал хорошее согласие сданными, полученными из эксперимента.