Профиль » Публикация
Опубликовано
2003-00-00
ОрганизацияИнститут физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра Российской академии наук, 450075 Уфа, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Квопросу омодификации поверхности кремния приееисследовании методом сканирующей туннельной микроскопии
Корнилов В.М., Лачинов А.Н. Квопросу омодификации поверхности кремния приееисследовании методом сканирующей туннельной микроскопии // ФТП, 2003, том 37, выпуск 3, Стр. 323
Аннотация
Представлены результаты исследования методом сканирующей туннельной микроскопии на воздухе поверхности кремния с тонким слоем окисла. Показано, что туннельный ток может представлять собой суперпозицию нескольких составляющих, что позволяет говорить о регистрации не истинного изображения поверхности, а псевдорельефа. Установлены основные закономерности модификации псевдорельефа. При положительной полярности на образце формируется изображение в виде впадин, при отрицательной--- в виде возвышенностей. Сделано предположение об электронной природе наблюдаемой модификации, которое подтверждается возможностью осуществления циклов \glqq запись--стирание--запись\grqq изображения на одном и том же участке поверхности. Обсуждается механизм модификации поверхности кремния в модели структуры диэлектрик--окисел--полупроводник, где роль диэлектрика может играть слой адсорбата.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален