Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт физики, 198904 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Туннельная эмиссия электронов вфотополевых детекторах ивоже-транзисторе всверхсильных электрических полях

Калганов В.Д., Милешкина Н.В., Остроумова Е.В.

Калганов В.Д., Милешкина Н.В., Остроумова Е.В. Туннельная эмиссия электронов вфотополевых детекторах ивоже-транзисторе всверхсильных электрических полях // ФТП, 2003, том 37, выпуск 3, Стр. 372

Аннотация Исследовалось влияние сильного электрического поля, (5-7)· 107 B/см, на эмиссию электронов из полупроводника ввакуум вполевых фотодетекторах и вструктурах металл--диэлектрик--полупроводник стуннельно-прозрачным слоем диэлектрика воже-транзисторе Al--SiO2--n-Si. Впервые показано, что существование глубоких самосогласованных квантовых колодцев на поверхности полупроводника всильном электрическом поле позволяет управлять энергией быстрых электронов, участвующих вударной ионизации вблизи базы оже-транзистора и изменяет фоточувствительность узкозонных полевых фотокатодов винфракрасной области спектра за счет образования транзисторной структуры на границе полупроводник--вакуум. Показано также, что и вполевых фотодетекторах, и втуннельных транзисторных структурах Al--SiO2--n-Si нужно учитывать только туннельный ток электронов и не учитывать ток дырок, поскольку ввакууме существует только ток электронов, а вструктуре Al--SiO2--n-Si туннелирование дырок из полупроводника вметалл маловероятно из-за большой эффективной массы дырок ввалентной зонеSiO2.