Профиль » Публикация
Опубликовано
2003-00-00
ОрганизацияСибирский физико-технический институт при Томском государственном университете, 634050 Томск, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Особенности рассеяния электронов нагетерограницах AlxGa1-xAs/AlAs(001)
Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н. Особенности рассеяния электронов нагетерограницах AlxGa1-xAs/AlAs(001) // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 435
Аннотация
Исследован эффект полного отражения электронной волны от гетерограницы для структур AlxGa1-xAs/AlAs. Анализ проведен на основе расчетов по методу псевдопотенциала, а также аналитически и численно в рамках упрощенной трехдолинной модели. Показано, что появление нуля в коэффициенте прохождения электронов через гетерограницу AlxGa1-xAs/AlAs, обнаруживаемое при некоторой энергии в интервале между дном X1-долины AlAs и X1-долины AlxGa1-xAs, обусловлено многодолинным характером энергетического спектра электронов. Установлено, что это полное отражение реализуется за счет взаимной компенсации вкладов от различных долин и не связано с каким-либо резонансным интерфейсным состоянием.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален