Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Накопление заряда вдиэлектрике исостояния на границах структур кремний-на-изоляторе при облучении электронами иgamma -квантами

Николаев Д.В., Антонова И.В., Наумова О.В., Попов В.П., Смагулова С.А.

Николаев Д.В., Антонова И.В., Наумова О.В., Попов В.П., Смагулова С.А. Накопление заряда вдиэлектрике исостояния на границах структур кремний-на-изоляторе при облучении электронами иgamma -квантами // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 443

Аннотация Исследованы накопление заряда в диэлектрике и состояния на границах структур кремний-на-изоляторе при облучении их электронами (энергия2.5 МэВ) и gamma-квантами (энергия662 кэВ). Обнаружено, что в скрытом диэлектрике структур после облучения появляется дополнительный положительный заряд. Концентрация ловушек для дырок, генерируемых в окисле облучением, вблизи границы с подложкой выше, чем у границы сращивания <отсеченный слой кремния>/окисел. Показано, что наличие даже небольшого встроенного поля в структурах (F>~= 5· 103 В/см) приводит к эффективному разделению носителей. Генерация дополнительных состояний на границах Si/SiO2 в структурах кремний-на-изоляторе отсутствует при обоих видах облучения, хотя наблюдается в исходном термическом окисле.