Профиль » Публикация
Опубликовано
2003-00-00
ОрганизацияСибирский физико-технический институт им.В.Д.Кузнецова, 634050 Томск, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Влияние внутренних полей натуннельный ток внапряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001)
Гриняев С.Н., Разжувалов А.Н. Влияние внутренних полей натуннельный ток внапряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001) // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 450
Аннотация
На основе методов псевдопотенциала и матрицы рассеяния изучено влияние внутренних полей на туннельный ток в нитридных структурах w-GaN/AlxGa1-xN(0001) с напряженными барьерными слоями. Показано, что в симметричных двухбарьерных структурах спонтанная поляризация и пьезоэлектрическое поле приводят к асимметрии вольт-амперной характеристики при изменении направления внешнего поля, а в несимметричных структурах, дополнительно к этому, вызывают зависимость тока от расположения слоев вдоль полярной оси. Вограниченных сверхрешетках внутренние поля формируют штарковскую лестницу электронных состояний, которая проявляется в пиках тока при относительно слабом внешнем поле (~10 кВ/см). Выраженные особенности в туннельном токе наблюдаются при толщинах слоев, примерно в2раза меньших по сравнению со структурами GaAs/AlGaAs(001). Зависимость туннельного тока от толщины и положения слоев, температуры и степени легирования объяснена из анализа эффекта Штарка для резонансных состояний.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален