Профиль » Публикация

Аннотация Ионно-легированные слои создавали имплантацией ионов серы вмонокристаллический GaAs, а также вэпитаксиальные пленки GaAs на полуизолирующих подложках споследующим термическим отжигом. Дополнительную радиационную обработку проводили спомощью галогенных ламп (фотонный отжиг). По планарной технологии изготавливали приборы Ганна и интегральные схемы на их основе. Показано, что дополнительная обработка приводит кросту подвижности электронов вслоях за счет снижения концентрации центров рассеяния. Структуры приборов Ганна, подвергнутые фотонному отжигу, характеризуются лучшей однородностью и более высоким значением перепада тока. Слои генерируют близкие кидеальным импульсы тока; отсутствуют эффекты, связанные сзахватом на ловушки, а также ударная ионизация.