Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследования влияния углерода на свойства гетероструктурSi / SiGe

Валах М.Я., Джаган В.Н., Матвеева Л.А., Оберемок А.С., Романюк Б.Н., Юхимчук В.А.

Валах М.Я., Джаган В.Н., Матвеева Л.А., Оберемок А.С., Романюк Б.Н., Юхимчук В.А. Исследования влияния углерода на свойства гетероструктурSi / SiGe // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 460

Аннотация Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света, электроотражения имасс-спектроскопии нейтральных частиц (SNMS) исследованы гетероструктуры Si / SiGe / SiGe : C / SiGe / Si. Показано, что легирование углеродом (1.5%) слояSiGe, лежащего между нелегированными слоями SiGe, приводит кпочти полной релаксации внем механических напряжений. Установлено, что высокотемпературный фотонный отжиг обусловливает частичную релаксацию напряжений внижнем буферном слое SiGe, но при этом увеличивает внем концентрацию атомовSi. Низкотемпературная обработка вводородной высокочастотной плазме приводит кзначительной релаксации механических напряжений вэтом слое без изменения его компонентного состава. Результаты, полученные из спектров электроотражения испектроскопии SNMS, коррелируют сданными, полученными методом спектроскопиикомбинационного рассеяния света.