Профиль » Публикация
Опубликовано
2003-00-00
ОрганизацияУдмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия * Нижегородский государственный технический университет, 603024 Нижний Новгород, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Влияние обработки ионами Ar низких энергий на характеристики рабочей итыльной сторон подложки монокристаллического GaAs
Алалыкин А.С., Крылов П.Н., Федотова И.В., Федотов А.Б. Влияние обработки ионами Ar низких энергий на характеристики рабочей итыльной сторон подложки монокристаллического GaAs // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 465
Аннотация
Бесконтактными методами исследованы характеристики рабочей итыльной сторон подложек монокристаллического арсенида галлия, подвергнутого обработке тыльной стороны ионами аргона низких энергий. Обнаружены изменения оптических ифотоэлектрических свойств облучаемых инеоблучаемых сторон. Предложен солитонный механизм проникновения дефектов вглубь кристалла.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален