Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский центр Института информационных технологий &#92;glqq Институт им.Курчатова&#92;grqq, 123182 Москва, Россия *Таганрогский государственный радио-технический университет, ГСП-17А Таганрог, Россия + Институт физики полупроводни ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности формирования ихарактеристики диодов Шоттки Ni/21R-SiC

Литвинов В.Л., Демаков К.Д., Агеев О.А., Светличный А.М., Конакова Р.В., Литвин П.М., Литвин О.С., Миленин В.В.

Литвинов В.Л., Демаков К.Д., Агеев О.А., Светличный А.М., Конакова Р.В., Литвин П.М., Литвин О.С., Миленин В.В. Особенности формирования ихарактеристики диодов Шоттки Ni/21R-SiC // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 473

Аннотация До ипосле быстрого термического отжига ввакууме (10-2 Па) винтервале температур 450--1100oC исследованы поверхностно-барьерные структуры Ni/n-21R-SiC (0001) иNi/n-21R-SiC (0001), сформированные на монокристаллах 21R-SiC, выращенных методом Лели сконцентрацией легирующей примеси (1-2)· 1018 см-3. Методами рентгеновской дифракции иоже-анализа показано, что висходных образцах наряду счистым никелем гексагональной модификации наблюдаются силициды никеля NiSi2 кубической модификации, иdelta-Ni2Si, NiSi ромбической модификации. Быстрый термический отжиг приводит кполиморфным превращениям этих фаз, обусловливающим уже при T>~= 600o трансформацию барьерного контакта вомический независимо от типа грани карбида кремния. Обсуждаются физические механизмы деградации этих барьерных структур.