Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

3C-SiCp-n-структуры, полученные методом сублимации наоснове подложек6H-SiC

Лебедев А.А., Стрельчук А.М., Давыдов Д.В., Савкина Н.С., Трегубова А.С., Кузнецов А.Н., Соловьев В.А., Полетаев Н.К.

Лебедев А.А., Стрельчук А.М., Давыдов Д.В., Савкина Н.С., Трегубова А.С., Кузнецов А.Н., Соловьев В.А., Полетаев Н.К. 3C-SiCp-n-структуры, полученные методом сублимации наоснове подложек6H-SiC // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 499

Аннотация Методом сублимационной эпитаксии ввакууме наоснове 6H-SiC выращены слои 3C-SiC n- иp-типа проводимости. Наоснове полученной эпитаксиальной p-n-структуры были сформированы диоды и проведены исследования их параметров методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик, методом DLTS и электролюминесценции. Показано, что характеристики исследованных диодов близки к характеристикам диодов на основе объемного 3C-SiC. Сделан вывод оприменимости метода сублимационной эпитаксии для получения 3C-SiCp-n-структур на основе подложек других политипов карбида кремния.