Профиль » Публикация

Аннотация Для создания электронных приборов, использующих полупроводниковые материалы, технология эпитаксиального наращивания которых достаточно хорошо отработана, желательно иметь набор подложек, базирующихся наSi и обеспечивающих выращивание гетероструктур с различными параметрами решетки. Такие подложки принято называть искусственными (artificial substrates). В данной работе проведен сравнительный анализ различных методов получения искусственных подложек--- гетероструктур, принцип релаксации напряжений в которых базируется на введении дислокаций несоответствия. Наоснове литературных и оригинальных данных анализируются механизмы реализации малой плотности прорастающих дислокаций в пластически релаксированных пленках на примере гетероструктурGeSi / низкотемпературный буферный слойSi. Анализируются проблемы и результаты другой группы методов получения искусственных подложек, завоевавших в последнее время популярность так называемых \glqq податливых\grqq и \glqq мягких\grqq подложек. Рассмотрены основные электрофизические параметры пленокSi иGeSi, выращенных на искусственных подложках.