Профиль » Публикация

Аннотация Совместный анализ производных C'V(Vg) экспериментальной и идеальной квазистатических вольт-фарадных характеристик, представленных в зависимости от нормированной дифференциальной емкости МДП структуры VV(Vg), позволяет идентифицировать в пределах энергетической щели полупроводника Eg области, в которых практически отсутствуют пограничные состояния и в которых легко установить связь между поверхностным потенциаломpsiS реального полупроводника и приложенным к МДП структуре напряжениемVg. Это позволяет достаточно точно определять аддитивные постоянные psiS0(Vg0), необходимые для расчета зависимости psiS(Vg) во всем диапазоне измененийVg путем численного интегрирования экспериментальной квазистатистической вольт-фарадной характеристики. Сопоставление этой зависимости с идеальной детально характеризует интегральные электронные свойства гетерограницы полупроводник--диэлектрик: усредненную по Eg плотность пограничных состояний, качественный характер их распределения по ширине щели, напряжение плоских зонVFB и его компоненты, обусловленные фиксированным зарядом в подзатворном диэлектрике и зарядом, локализованным на пограничных состояниях. Высокая точность регистрацииVFB обеспечивает обнаружение даже слабого \glqq физического\grqq отклика МДП структур на внешние воздействия или на вариации технологии формирования гетерограницы. Приводятся результаты такого рода анализа для типичной гетерограницы SiO2/Si n-Si-МОПструктуры. Отмечается перспективность применения диаграмм C'V-\kern0.5ptCV для анализа высокочастотных вольт-фарадных характеристик.