Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут проблем технологии микроэлектроники иособо чистых материалов Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Нулевые аномалии транспортных характеристик однобарьерных гетероструктур GaAs/AlAs/GaAs как проявление резонансного туннелирования между параллельными двумерными электронными газами иподавление резонансного туннелирования вмагнитном поле как проявление кулоновской щели втуннельной плотности состояний

Ханин Ю.Н., Дубровский Ю.В., Вдовин Е.Е.

Ханин Ю.Н., Дубровский Ю.В., Вдовин Е.Е. Нулевые аномалии транспортных характеристик однобарьерных гетероструктур GaAs/AlAs/GaAs как проявление резонансного туннелирования между параллельными двумерными электронными газами иподавление резонансного туннелирования вмагнитном поле как проявление кулоновской щели втуннельной плотности состояний // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 717

Аннотация Врезультате изучения туннельного транспорта электронов через однобарьерные гетероструктуры GaAs/AlAs/GaAs показано, что причиной \glqq нулевых аномалий\grqq--- экстремумов вдифференциальной проводимости вблизи нулевого напряжения--- висследованных структурах является резонансное туннелирование между параллельными двумерными электронными газами вобогащенных слоях, образовавшихся по обе стороны барьеров из-за наличия вбарьерах донорных примесей Si. Обнаружено подавление резонансного туннелирования между параллельными двумерными электронными газами вузких интервалах вблизи нулевого напряжения (туннельная щель) всильном магнитном поле, параллельном направлению тока, когда вкаждом из двумерных электронных газов заполнен только один уровень Ландау. Подавление обусловлено кулоновской щелью на уровне Ферми втуннельной плотности состояний. Этот эксперимент впервые обнаружил проявление кулоновской щели при туннелировании между параллельными двумерными электронными газами сотносительно низкими подвижностями, вкоторых влияние беспорядка или случайных флуктуаций потенциала на механизм формирования туннельной щели может оказаться заметным.