Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала, Россия * Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние примесей редкоземельных элементов нафотолюминесценцию стеклообразного Ge2S3

Бабаев А.А., Камилов И.К., Вагабова З.В., Султанов С.М., Асхабов А.М., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н.

Бабаев А.А., Камилов И.К., Вагабова З.В., Султанов С.М., Асхабов А.М., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н. Влияние примесей редкоземельных элементов нафотолюминесценцию стеклообразного Ge2S3 // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 827

Аннотация Проведено исследование фотолюминесцентных свойств винтервале 4.2-300 K стеклообразного Ge2S3, легированного редкоземельными элементамиLa, Ce, Gd. Показано, что примеси не создают новых уровней, ответственных за излучение. Оценены изменения основных параметров спектра возбуждения иизлучения взависимости от концентрации ирода примесей.