Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Изучение влияния кислорода наинтенсивность фотолюминесценции эрбия впленках a-SiOx : H< Er>, полученных магнетронным способом
Ундалов Ю.К., Теруков Е.И., Гусев О.Б., Кудоярова В.Х.
Ундалов Ю.К., Теруков Е.И., Гусев О.Б., Кудоярова В.Х. Изучение влияния кислорода наинтенсивность фотолюминесценции эрбия впленках a-SiOx : H< Er>, полученных магнетронным способом // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 853
Аннотация Изучалось влияние кислорода на интенсивность фотолюминесценции эрбия при lambda=1.54 мкм в пленках a-SiOx : H< Er>, полученных методом магнетронного напыления. Концентрация кислорода в газовой фазе плазмы изменялась в диапазоне 0.1-12 мол% при неизменности других параметров процесса напыления. Анализ системы a-Si : H-Er-O показал, что реально область гомогенности аморфной матрицы a-SiOx : H< Er> носит ретроградный характер (T=const). Область гомогенности условно можно разбить на две части, каждая из которых должна содержать один из двух разнозаряженных [Er-O]n-- и [Er-O-Si-O]m--кластеров (m>n). Это обстоятельство подтверждается экспериментом: вобласти концентрации кислорода в плазме 5.5-8 мол%, в последней, вероятно, непосредственно перед растущей поверхностью пленки происходят \glqq необычные\grqq ассоциативные процессы, обусловленные появлением в плазме и в пленке [Er-O-Si-O]m--кластеров. Именно им приписывается эффект увеличения фотолюминесценции эрбия при росте концентрации кислорода более5.5 мол%.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален