Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия * Софт-Импакт, а / я33, 194156 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Легирование магнием вмолекулярно-пучковой эпитаксии нитрида галлия изактивированного азота

Воробьев А.А., Кораблев В.В., Карпов С.Ю.

Воробьев А.А., Кораблев В.В., Карпов С.Ю. Легирование магнием вмолекулярно-пучковой эпитаксии нитрида галлия изактивированного азота // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 866

Аннотация Предложена кинетическая модель легирования магнием нитрида галлия, выращиваемого спомощью молекулярно-пучковой эпитаксии из плазмо-активированного азота, иопределены параметры модели. Предполагая конкурентное квазиравновесное вхождение Mg иGa вподрешетку IIIгруппы, теория объясняет основные экспериментально наблюдаемые закономерности легирования--- зависимость эффективности вхождения Mg от температуры иV / III-отношения впадающих потоках.