Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Омеханизмах токопереноса вдиодных структурах Cr--n-InP иMo--n-InP

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Саморуков Б.Е.

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Саморуков Б.Е. Омеханизмах токопереноса вдиодных структурах Cr--n-InP иMo--n-InP // ФТП, 2003, том 37, выпуск 8, Стр. 960

Аннотация Проведены исследования электрических характеристик диодных структур Cr--n-InP иMo--n-InP исделана оценка механизма токопрохождения. Установлено, что вструктурах Cr--n-InP преобладает либо термоэлектронный, либо генерационно-рекомбинационный ток взависимости от температуры. Вструктурах Mo--n-InP--- двойная инжекция носителей заряда при дрейфовом переносе.