Профиль » Публикация

Аннотация Впоследнее время большое внимание уделяется измерению иконтролю ультрафиолетового излучения Солнца иискусственных источников. Мы представляем фотодетекторы на основе различных широкозонных поверхностно-барьерных структур, которые имеют линейную характеристику плотность потока излучения--фототок вдиапазоне 10-2-103 Вт / м2 ипозволяют регистрировать разные типы ультрафиолетового излучения. Так, фотодетекторы на основе GaP при использовании фильтра УФС-6 имеют диапазон спектральной фоточувствительности, соответствующий ультрафиолетовому излучению Солнца, регистрируемому на поверхности Земли. 4H-SiC-поверхностно-барьерные фотоприемники имеют диапазон спектральной фоточувствительности, соответствующий спектральной кривой бактерицидного воздействия ультрафиолетового излучения. Для объяснения процесса коротковолнового фотоэлектропреобразования вэтих структурах разработана модель, согласно которой фотоэлектроны ифотодырки могут связываться вгорячие экситоны иисключаться из процесса фотоэлектропреобразования. Экспериментально установленный факт роста квантовой эффективности стемпературой для фотодетекторов на основе барьеров Шоттки объясняется захватом фотоносителей вловушки, обусловленные флуктуациями дна зоны проводимости ипотока валентной зоны, споследующей термодиссоциацией. Эти флуктуации связаны снесовершенствами вприповерхностной области полупроводника, что подтверждается независимостью квантовой эффективности фотодетекторов на основе p-n-структур от температуры.