Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Высокоэффективные фотодиоды наоснове GaInAsSb / GaAlAsSb дляспектрального диапазона 0.9-2.55 мкм сбольшим диаметром чувствительной площадки

Андреев И.А., Ильинская Н.Д., Куницына Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П.

Андреев И.А., Ильинская Н.Д., Куницына Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Высокоэффективные фотодиоды наоснове GaInAsSb / GaAlAsSb дляспектрального диапазона 0.9-2.55 мкм сбольшим диаметром чувствительной площадки // ФТП, 2003, том 37, выпуск 8, Стр. 974

Аннотация В данной работе сообщаются результаты исследований, направленных на создание высокоэффективных фотодиодов для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм сдиаметрами фоточувствительной площадки такими большими, как 1-3 мм. Разработан широкий ряд фотодиодов на основе гетероструктур GaSb / GaInAsSb / GaAlAsSb сдлинноволновой границей спектральной чувствительности lambda=2.4 и2.55 мкм. Отличительными особенностями фотодиодов являются высокая токовая монохроматическая чувствительность вмаксимуме спектра, высокое быстродействие, атакже низкое значение плотности обратных темновых токов. Обнаружительная способность фотодиодов, оцененная по измеренной величине уровня шумов итоковой монохроматической чувствительности, вмаксимуме спектра достигает величины D*(lambdamax,1000,1)=(0.8-1.0)·1011 Гц1/2 см/Вт.