Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности спонтанного и когерентного инфракрасного излучения лазеров, изготовленных наоснове одиночного разъединенного гетероперехода IIтипа

Моисеев К.Д., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П.

Моисеев К.Д., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Особенности спонтанного и когерентного инфракрасного излучения лазеров, изготовленных наоснове одиночного разъединенного гетероперехода IIтипа // ФТП, 2003, том 37, выпуск 8, Стр. 1010

Аннотация Исследованы электролюминесцентные характеристики одиночной гетероструктуры IIтипа p-Ga0.84In0.16As0.22Sb0.78/ n-In0.83Ga0.17As0.80Sb0.20 в интервале температур 77-300 K. Предложена и реализована новая улучшенная лазерная структура на основе разъединенного гетероперехода IIтипа p-GaInAsSb/n-InGaAsSb в активной области и получена одномодовая генерация на длине волны lambda=3.14 мкм при плотности порогового тока jth=400 А/см2 (T=77 K). Обнаружено преобладание TM-поляризации над TE-поляризацией излучения как для спонтанного, так и для когерентного режима работы новой лазерной структуры, что может быть объяснено участием в рекомбинации легких дырок, туннелирующих через гетерограницу.