Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияМосковский государственный институт электронной техники (Технический университет), 103498 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Междолинное перераспределение электронов принизких температурах имагнитодиодный эффект

Абрамов А.А., Горбатый И.Н.

Абрамов А.А., Горбатый И.Н. Междолинное перераспределение электронов принизких температурах имагнитодиодный эффект // ФТП, 2003, том 37, выпуск 9, Стр. 1078

Аннотация Представлены результаты измерений вольт-амперных характеристик кремниевых p-i-n-структур впоперечном ктоку магнитном поле при температуре77 K. Особенности вольт-амперных характеристик имагниточувствительности при низких температурах объяснены суперпозицией анизотропных размерных эффектов, вызванных силой Лоренца имеждолинным перераспределением электронов. Это перераспределение всвою очередь может быть следствием либо полевого разогрева электронов (эффект Сасаки) вобъеме полупроводника, либо нарушением вблизи поверхности полупроводника взаимной компенсации поперечных потоков электронов, принадлежащих разным долинам.