Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияМордовский государственный университет, 430000 Саранск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Умножение носителей заряда вкремниевых P-N-переходах

Сережкин Ю.Н., Шестеркина А.А.

Сережкин Ю.Н., Шестеркина А.А. Умножение носителей заряда вкремниевых P-N-переходах // ФТП, 2003, том 37, выпуск 9, Стр. 1109

Аннотация Рассмотрены зависимости коэффициентов умножения носителей зарядаM от приложенного напряжения вкремниевых p-n-переходах снапряжением лавинного пробоя 10--3000 В. Предложены аналитические выражения для аппроксимации этих зависимостей для электронов, дырок игенерационного тока. Вдиапазоне изменения коэффициентов умножения 1.01--3.0 относительная среднеквадратичная ошибка аппроксимации (M-1) составляет несколько процентов. Это более чем на порядок величины лучше, чем при аппроксимации широко распространенным выражением Миллера--Молла. Предполагается, что аналитические выражения предлагаемого вида будут пригодны для аппроксимации зависимостей коэффициентов умножения от приложенного напряжения вбольшинстве полупроводниковых материалов.