Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияСибирский физико-технический институт им.В.Д.Кузнецова, 634050 Томск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Рассеяние электронов на ионах примеси при низких температурах всверхрешетке слегированными квантовыми ямами

Борисенко С.И.

Борисенко С.И. Рассеяние электронов на ионах примеси при низких температурах всверхрешетке слегированными квантовыми ямами // ФТП, 2003, том 37, выпуск 9, Стр. 1117

Аннотация Решается задача о расчете продольной и поперечной подвижности, ограниченной рассеянием на ионах примеси, для электронов сверхрешетки с легированными квантовыми ямами. Рассматривается случай низких температур и малых концентраций носителей заряда. При решении уравнения Больцмана для невырожденного электронного газа в области слабой экранировки кулоновского потенциала ионов примеси используется гипотеза Конуэлл--Вайскопфа о минимальном угле рассеяния. Численные расчеты проведены для симметричной сверхрешетки GaAs/Al0.36Ga0.64As с периодом 10 нм и концентрацией электронов 1014 см-3 при T=20 K.