Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603095 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Эффективное сечение возбуждения фотолюминесценции ивремя жизни ввозбужденном состоянии ионовEr3+ вмногослойных селективно легированных Si : Er-структурах

Гастев С.В., Емельянов А.М., Соболев Н.А., Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Шмагин В.Б.

Гастев С.В., Емельянов А.М., Соболев Н.А., Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Шмагин В.Б. Эффективное сечение возбуждения фотолюминесценции ивремя жизни ввозбужденном состоянии ионовEr3+ вмногослойных селективно легированных Si : Er-структурах // ФТП, 2003, том 37, выпуск 9, Стр. 1123

Аннотация Измерены эффективное сечение возбуждения фотолюминесценции ивремя жизни ионов эрбия ввозбужденном состоянии для структур Si : Er/Si/Si : Er/Si.../Si, изготовленных впроцессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Полученные результаты показывают, что значительное повышение интенсивности фотолюминесценции ионов эрбия вселективно легированном кремнии посравнению соднородно легированным несвязано сизменениями излучательного времени жизни, эффективного сечения возбуждения ивремени жизни ионов эрбия ввозбужденном состоянии.