Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Метаморфные модулированно-легированные гетероструктуры InAlAs / InGaAs / InAlAs свысокой подвижностью электронов наподложкахGaAs

Семенова Е.С., Жуков А.Е., Васильев А.П., Михрин С.С., Ковш А.Р., Устинов В.М., Мусихин Ю.Г., Блохин С.А., Гладышев А.Г., Леденцов Н.Н.

Семенова Е.С., Жуков А.Е., Васильев А.П., Михрин С.С., Ковш А.Р., Устинов В.М., Мусихин Ю.Г., Блохин С.А., Гладышев А.Г., Леденцов Н.Н. Метаморфные модулированно-легированные гетероструктуры InAlAs / InGaAs / InAlAs свысокой подвижностью электронов наподложкахGaAs // ФТП, 2003, том 37, выпуск 9, Стр. 1127

Аннотация Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs созданы метаморфные модулированно-легированные гетероструктуры всистеме материалов InGaAs / InAlAs. Проведена оптимизация условий выращивания градиентного буферного слоя при низкой температуре осаждения, позволяющая резко снизить количество структурных дефектов врабочих слоях структуры. Подвижность электронов вдвумерном канале метаморфных структур, выращенных воптимизированных условиях, (8100 см2/В·с при 300 K) значительно превосходит значения, достижимые внапряженных гетероструктурах InGaAs / AlGaAs на подложках GaAs.