Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им.М.В.Ломоносова (Физический факультет), 119992 Москва, Россия * Московский институт стали исплавов, 117936 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электрические свойства испектры люминесценции светодиодов наоснове гетеропереходов InGaN / GaN смодулированно-легированными квантовыми ямами

Мамакин С.С., Юнович А.Э., Ваттана А.Б., Маняхин Ф.И.

Мамакин С.С., Юнович А.Э., Ваттана А.Б., Маняхин Ф.И. Электрические свойства испектры люминесценции светодиодов наоснове гетеропереходов InGaN / GaN смодулированно-легированными квантовыми ямами // ФТП, 2003, том 37, выпуск 9, Стр. 1131

Аннотация Исследованы распределение заряженных центров N(w), квантовый выход излучения испектры люминесценции голубых изеленых светодиодов на основе p-n-гетероструктур InGaN / AlGaN / GaN. Множественные квантовые ямы InGaN / GaN были модулированно легированы донорамиSi вGaN-барьерах. Концентрации доноров иакцепторов на границах перехода, определенные гетеродинным методом динамической емкости, были порядка NA>=1·1019 см-3>> ND>=1·1018 см-3. Функции N(w) имели максимумы иминимумы, спериодом 11-18 нм (±2-3 нм). Построена энергетическая диаграмма структур. Сдвиги спектральных максимумов сизменением тока (J=10-6-3·10-2 А) малы (3-12 мэВ для голубых и20-50 мэВ для зеленых диодов), меньше, чем для диодов снелегированными барьерами (до150 мэВ). Это объясняется экранированием пьезоэлектрических полей вямах электронами. Квантовый выход излучения взависимости от тока коррелирует сраспределением зарядов иособенностями вольт-амперных характеристик диодов.