Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Всероссийский электротехнический институт им.В.И.Ленина, Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

О быстром восстановлении блокирующей способности карбид-кремниевых диодов

Грехов И.В., Кюрегян А.С., Мнацаканов Т.Т., Юрков  С.Н.

Грехов И.В., Кюрегян А.С., Мнацаканов Т.Т., Юрков С.Н. О быстром восстановлении блокирующей способности карбид-кремниевых диодов // ФТП, 2003, том 37, выпуск 9, Стр. 1148

Аннотация Проведен сравнительный анализ влияния различных факторов, определяющих характер восстановления блокирующей способности карбид-кремниевых диодов. Показано, что доминирующим является механизм, обусловленный большой величиной отношения подвижностей электронов и дырок вSiC. Именно этот механизм приводит к тому, что, независимо от асимметрии эффективности эмиттеров и вызванной ею начальной неоднородности плазмы в высокоомной базе, эффект сверхбыстрого (субнаносекундного) обрыва тока может наблюдаться при восстановлении карбид-кремниевых диодов с базой p-типа, а \glqq мягкое\grqq восстановление присуще только диодам с базой n-типа.