Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины,03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотоосаждение металла в гетеропереходах ствердым электролитом. Случай гетеропереходов CdSe--As2S3 : Agx (x=0.9-2.4)

Стецун А.И.

Стецун А.И. Фотоосаждение металла в гетеропереходах ствердым электролитом. Случай гетеропереходов CdSe--As2S3 : Agx (x=0.9-2.4) // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1197

Аннотация Явление фотоосаждения серебра было обнаружено в гетеропереходах CdSe--As2S3 : Agx (x=0.9-2.4). Массоперенос ионов серебра к границе раздела слоев обусловлен электрическим полем, которое возникает из-за разделения электронно-дырочных пар в областях пространственного заряда гетероперехода при генерации фотоэдс. Такая миграция ионов также стимулируется увлечением ионов электронным потоком. Рекомбинация электронов с ионами на границе раздела слоев приводит к фотоосаждению кластеров химического элемента, ответственного за ионную проводимость в твердом электролите. Предложен новый метод изготовления материала для оптической записи информации на основе явления фотостимулированного переноса ионов и фотоосаждения металла в гетеропереходах на основе твердого электролита.