Профиль » Публикация

Аннотация Сиспользованием методов сканирующей туннельной микроскопии обнаружено, что пленка собственного оксида эпитаксиального n-GaAs (100) образована плотно смыкающимися между собой нанокластерами, состоящими из оксидов Ga, As иизбыточного слояAs на интерфейсе Ga2O3 / n-GaAs. При этом фрактальная структура поверхности кластеров образована тремя уровнями подобных элементов зерновидной формы, пространственные размеры которых удовлетворяют соотношению 9:3:1. Втрехмерном случае на одном \glqq зерне\grqq может располагаться около6 меньших по размеру зерен. Было рассмотрено 2 возможных случая формирования фрактальной структуры кластеров. Впервом случае, когда потоки количества веществ As2O3 иAs по поверхности равны, формирование структуры кластеров определяется процессом диффузии As по поверхности кластера. Во втором, когда поток As превышает поток As2O3, формирование структуры кластеров определяется процессом диффузии Ga по поверхности кластера. Рост кластеров при нормальных условиях и, следовательно, увеличение толщины пленки оксида прекращаются, когда кластеры плотно смыкаются между собой. Это затрудняет диффузию реагентов через пленку оксида ипротекание химических реакций.