Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, 117105 Москва, Россия * Институт физики полупроводников, 26000 Вильнюс, Литва ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электронный транспорт вуниполярных гетероструктурных транзисторах сквантовыми точками всильных электрических полях

Мокеров В.Г., Пожела Ю.К., Федоров Ю.В.

Мокеров В.Г., Пожела Ю.К., Федоров Ю.В. Электронный транспорт вуниполярных гетероструктурных транзисторах сквантовыми точками всильных электрических полях // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1248

Аннотация Представлена модель для объяснения особенностей электронного транспорта всильных электрических полях вуниполярном гетероструктурном транзисторе сквантовыми точками (AlGaAs/GaAs/InAs/GaAs/InAs). Показано, что двухступенчатая форма выходной вольт-амперной характеристики ID(VD) ианомальная зависимость тока стокаID от напряжения на затвореVG обусловлены ионизацией квантовых точек всильном электрическом поле вблизи стокового края затвора. Ионизация квантовых точек зарождается при напряжении стокаVD, превышающем значениеVD1, при котором зависимость ID(VD) выходит на насыщение (первая ступенька вольт-амперной характеристики). При последующем увеличенииVD, т. е. при VD>VD1, зависимость ID(VD) за счет ионизации квантовых точек снова испытывает крутой подъем изатем при VD=VD2>VD1 токID вторично выходит на насыщение (вторая ступенька на характеристике). Этот эффект предлагается использовать для определения заселенности квантовых точек электронами. Представленная модель также описывает наблюдаемое вэксперименте двукратное изменение знака крутизны gm=dID/dVG как функцииVG.